一种基于黑盒的RVDT设计方法

标题：一种基于黑盒的RVDT设计方法

摘要：本发明属于电子信息技术领域，涉及一种基于黑盒的RVDT设计方法。本发明的设计方法不需要测定设计的RVDT壳体、定子以及项圈导线的相关特性参数，包括气隙厚度、空气导磁系数，同时也不需要计算给定电压下特定圈数初级线圈的电流密度，借鉴了黑盒子的测试方法，对这些参数在设计中由于进行了约化，从而简化RVDT的设计。

申请号：CN201410508195.0

申请日：2014/9/28

申请人：中国航空工业集团公司西安飞机设计研究所

首项权利要求：一种基于黑盒的RVDT设计方法，其特征在于，包括以下步骤：1)根据要求初步设计RVDT摸底样机，并首先初步确定初级线圈匝数N1，次级线圈匝数N2，按照初级线圈跨两级连接，次级线圈分别连接到每对磁极上来制作RVDT摸底样机，测量RVDT摸底样机的输入输出特性，即：RVDT摸底样机最大偏角对应的电压值Uo；2)根据RVDT摸底样机最大偏角对应的电压值Uo与最大偏角要求输出电压UR_ O来设计次级线圈所需的实际匝数NR_ 2，由于：UR_ O＝8πfN1NR_ 2I1μ0rhα/δ，所以其中，f为励磁电源频率，I1为初级线圈电流密度，μ0为空气导磁系数，r为转子半径，h为定子铁芯的有效宽度，α为转子转角，δ为定子极掌与转子极端面之间的气隙厚度；3)依据给定的初级线圈匝数，次级线圈匝数，测量的RVDT摸底样机最大偏角对应的电压与最大偏角要求输出电压计算出更改次级线圈匝数后的理论和值电压U’ sum，由于RVDT摸底样机和值电压Usum＝8πfN1N2I1μ0rhθ/δ，同时U’ sum＝8πfN1NR_ 2I1μ0rhθ/δ，所以UsumUsum′ =N2NR_ 2⇒ Usum′ =UsumNR_ 2N2; 4)根据理论和值电压U’ sum以及要求和值电压UR_ sum，计算和值补偿线圈匝数补偿线圈匝数可正可负，若为正，需要补偿的和值电压为正值，若为负，需要补偿的和值电压为负值，若为零则不需要进行和值补偿；5)按照初级线圈匝数N1，次级线圈匝数NR_ 2，补偿线圈匝数Ns_ c制作所需RVDT传感器。

专利类型：发明申请