一种以中子辐照的碳化硅晶体为传感器的测温方法

标题：一种以中子辐照的碳化硅晶体为传感器的测温方法

摘要：一种以中子辐照的碳化硅晶体为传感器的测温方法。包括：选用多量、小块、同一批次的、 掺氮的6H-SiC晶体作为测温晶体，进行中子辐照后，分别进行不同温度T的退火处理，再分别测 试退火后各测温晶体的X-光衍射峰的半高宽F，以F为纵坐标，以T为横坐标，绘制出F-T标准 曲线；将上步经中子辐照的测温晶体埋设于待测物件的表层或表面，并随含待测物件的工作系统 进行高温运转，然后取出测温晶体并测试其半高宽，通过对比F-T标准曲线，找出与该半高宽值 相对应的温度值，该温度即为待测物件的最高工作温度。该方法具有明显的非侵入式特征，不需 现场判读，可用于1200℃以上的高温工作系统的温度测试，且测试精度高、操作简便。

申请号：CN200910069820.5

申请日：2009/7/22

申请人：中国航空工业集团公司沈阳发动机设计研究所; 天津大学

首项权利要求：1、一种以中子辐照的碳化硅晶体为传感器的测温方法，其特征在于该方法包括以下步骤： 第一、将选用的碳化硅晶体加工成便于埋设在待测物件的表层或表面的形状，作为测温晶体； 第二、对上步测温晶体进行中子辐照，辐照温度不高于100℃，辐照的总通量不低于1017/cm2； 第三、绘制F-T标准曲线，将第二步经过中子辐照的测温晶体分别进行不同温度的退火处理， 同时记录退火温度T，然后分别测试经退火处理后的各测温晶体X-光衍射峰的半高宽F，以F为 纵坐标，以T为横坐标，绘制出F随T变化的曲线，该曲线称作F-T标准曲线； 第四、将第二步经过中子辐照的同一批次测温晶体埋设于待测物件的表层或表面，并随含待 测物件的工作系统进行高温运转，此过程可视为对测温晶体的一次高温退火； 第五、取出第四步经过随含有待测物件的工作系统进行高温运转后的测温晶体，并测试该测 温晶体的X-光衍射峰的半高宽，通过对比第三步绘制的F-T标准曲线，找出与该半高宽值相对应 的温度值，则该温度即为待测物件的最高工作温度。

专利类型：发明申请