一种压电晶片谐振频率测定方法

标题：一种压电晶片谐振频率测定方法

摘要：本发明属于航空材料性能检测领域，涉及一种压电晶片谐振频率测定方法。本方法采用短时高压脉冲法对压电晶片进行激励，压电晶片发生响应振动，高压脉冲为宽频激励，压电晶片的振动为选择性响应，其振动频率即为其谐振频率。本方法采用纯时域算法，直接简便，干扰因素少，精度高。一定形状的压电晶片对应不止一个谐振频率，例如圆形晶片，有高频的厚度模振动谐振频率和低频的径向模谐振频率，本发明提供的方法可以全面测定不同方向模振动的谐振频率。

申请号：CN201210527953.4

申请日：2012/12/10

申请人：中国飞机强度研究所

首项权利要求：一种压电晶片谐振频率测定方法，其特征在于，包括以下步骤：
对压电晶片进行短时高压脉冲激励的步骤：短时高压脉冲的脉冲宽度τ通过公式(1)确定，激励最大电压在200?450V之间；
其中，Nf为压电晶片振动模方向的频率常数，l为振动模方向的尺寸；
记录压电晶片响应振动信号的步骤：采用示波器或高速数采系统进行记录；
分析计算压电晶片谐振频率的步骤：首先计算相邻两个波峰之间的时间间隔Δt，也即第一波峰与第二波峰、第二波峰与第三波峰、第三波峰与第四波峰之间的时间间隔Δt，然后再根据Δt计算该振动模方向的谐振频率，计算方法如式(2)；

专利类型：发明申请